（报告出品方/分析师：国盛证券郑震湘佘凌星）
一、国内领先功率器件制造商，车规产品加速布局
1.1模块+单管齐头并进
公司是国内知名的功率半导体器件制造商，于年在江苏常州市成立。
公司于年成功研发出了快恢复外延二极管（FRED）第一代芯片（M1d）F系列；年，公司成功推出第一代IGBT产品—V平面栅NPT结构的IGBT芯片M1i。年，公司在上海科创板上市。
公司主要从事以IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块设计、研发、生产和销售。
公司主要为电动汽车驱动、充电桩、光伏逆变器、变频器、电焊机、UPS电源等领域的客户提供应用广泛、性能优异的功率半导体器件。
公司主营业务包括模块业务、单管业务两大类。
模块业务主要包括电动汽车驱动、变频器，电焊机、逆变器和UPS电源；单管业务包括变频器、伺服电机、电焊机、UPS电源、充电桩。
公司自成立之初即专注于FRED芯片和IGBT芯片的研发。
IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT芯片和FRED芯片，公司拥有自主研发设计市场主流IGBT和FRED芯片的能力。
公司主营业务中芯片、单管完全采用自研芯片；模块产品分别采用自研芯片和外购芯片。
公司依靠自身技术、工艺、人才、管理等优势的长期积累，成功实现了IGBT、FRED等功率半导体器件（涵盖芯片、单管及模块）的多类型产品布局。
公司控股股东、实际控制人为赵善麒。
截止年12月16日，公司控股股东赵善麒持有公司17.78%的股份，同时担任公司的董事长兼总经理。
核心高管控股有助于公司经营活动与管理层战略保持高度一致。公司的第二大股东为赣州常春新优投资合伙企业，持有公司5.11%的股份。
全资子公司江苏宏电业务包括太阳能光伏设备研发、生产、销售，以及风力发电技术研发、风力发电设备及配件制造、销售等；同时公司还参股了两家股权投资合伙企业。
1.2研发投入效果明显，业绩进入加速期
公司营收稳步增长，、Q3营收加速增长。
至年，公司营业收入复合增速达27.38%。年营收同比增速达66.04%，呈现加速态势。前三季度实现营收6.15亿，同比增速达66.18%；年前三季度公司归母净利润为0.61亿元，同比增加31.53%。
公司由于下游客户结构优秀，对应市场景气度较高，截止Q3接受的订单饱满，整体产能利用率有所提高，反映到业绩端，公司自年后业绩保持高速增长。
毛利率稳定，费用管控能力逐步提升。
至年公司整体毛利率较为平稳，前三季度公司综合毛利率21.77%，相较于全年，提升0.20pct。净利率方面，由于公司加大研发投入以及相关财务费用增加导致短期波动，前三季度公司净利率9.95%。费用方面，公司三费呈现逐年下降态势，表明了公司的管控能力逐步提升。
模块业务持续高增，单管业务成长可期。
模块业务依旧是公司的主要收入来源，年公司模块业务营收3.52亿元，同比增速为41.44%；同时在年单管业务显著增长，年业务营收1.49亿，同比增长.99%。毛利率方面，受托加工、芯片和单管年毛利率分别为54.35%、28.17%和24.21%。
加码研发，高投入下成果涌现。
公司近年来不断加码研发投入，年前三季度公司研发费用.53万元，同比增长.95%；研发费用营业收入占比6.74%。年研发投入研发人员提升至名，占总员工比例超过20%。
截止H1公司多产品实现突破进展：
?公司的M5i微沟槽V系列除了在光伏行业所使用的单管产品上获得了验证和批量交付，针对UPS和光伏行业领域同期推出新的定制模块产品规格，目前制样进展顺利，预期会在H2完成客户端的验证和新产品导入等工作；
?基于12寸IGBT平台，公司在M3i的基础上开始微沟槽M4iV和M6iV的研发，预计将在年底完成技术验证；
?H1公司首颗M7iVIGBT通过客户验证并获得小批量订单，中大电流规格产品拓展正在进行，预计H2陆续出样，年全面推向市场；
?车用A/V模块产品已获得客户验证并开始批量交付；
?车用A/V定制型模块产品已获得客户认证，且批量交付使用，整体性能及可靠性表现良好，预计H2可并入公司自动化线进行生产；
?光伏逆变器用80A逆变模块开发进展顺利，22H1大批量交付客户安装使用；
?光伏用大功率模块已立项研发，可实现A/V电流电压等级，预计年可实现批量交付。
公司长期处于功率电子行业高研发梯队。
纵观A股上市功率半导体核心公司，近三年研发费用率在2.2%~11.2%区间，宏微科技研发费用率近年来均不低于6.7%，在整个行业中属于较高范畴。
我们认为长期的高强度研发投入一方面使得公司产品持续迭代，同时有利于提升公司对于IGBT模块、SiC等新产品的研发速度。我们认为前期的高强度研发投入将使得公司在未来发展更加顺利。
公司年6月发布了股权激励，本次股权激励涉及公司高管和公司核心技术人员在内的人，合计授予.56万股，占总股本约1.28%。
本次股权激励业绩考核为~三个会计年度：
?以年营业收入为基数，年营业收入增长不低37%。
?以年营业收入为基数，年营业收入增长不低于81%。
?以年营业收入为基数，年营业收入增长不低%。
根据公司测算，首次授予的限制性股票数为.25万股，需摊销的总费用为.73万元，其中///年分别需要摊销.6/.4/.3/.5万元。
1.3积极募资，车规产能规划清晰
公司于年9月26日召开董事会，审议通过了《关于投资建设车规级功率半导体分立器件生产研发项目的议案》，同意投资6.00亿元进行车规级功率半导体分立器件生产研发项目建设。预计建设周期3年。
项目建成后，公司将形成年产车规级功率半导体器件万块的生产能力。年9月，宏微科技发布公告，计划向不特定对象发行可转换公司债券拟募集资金总额不超过4.50亿元。募集资金投资项目为“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”，项目选址位于江苏省常州市新北区新竹路5号，项目计划总投资5.07亿元，本项目建成后，将形成年产车规级功率半导体器件万块的生产能力，助力公司深化主营业务发展，显著提升收入规模和盈利水平，强化公司市场地位，从而保持市场竞争优势。
二、功率电子：新领域、大机遇
2.1IGBT：核心领域持续加速
功率器件通常也称为电力电子器件，是电力电子电路中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率，或将直流转换为交流、交流转换为直流等的电力转换。
功率半导体的目的是使电能更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方便，应用于一般工业、交通运输、通信系统、计算机系统、新能源系统，以及照明、家用电器、个人电脑、消费电子等领域。广义上讲功率半导体分为功率（分立）器件和功率集成电路（PowerIntegratedCircuit，PIC）。
分立器件指采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高，功率器件为分立器件中的重要组成部分，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。
纵观功率器件领域过去近70年的发展史，从上世纪80年代以前以半控型晶闸管为核心器件的传统电力电子时代（第一代电力电子技术），到80年代后以MOSFET、IGBT等全控型功率器件为核心的现代电力电子时代（第二代电力电子技术），功率器件的发明和迭代驱动着电力电子技术不断进步。
MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）中文名称为金属氧化物半导体场效应晶体管，即利用金属层（M）的栅极隔着氧化物（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）即绝缘栅双极型晶体管，性能优良，应用广泛，被称为电子行业里的“CPU”。
IGBT是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，因此它既具备MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，简言之IGBT在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件所不能比拟的。
采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量、高效节能、绿色环保，因而是电力、电子领域较为理想的开关器件，IGBT主要被用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域，小到家电，大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业都会用到IGBT。
IGBT常见的形式是模块，可显著提升高压高电流能力。
在IGBT应用中最常见的形式是模块（Module）。模块是多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上，通过高压硅脂或硅脂等绝缘材料封装，IGBT模块对内部的芯片的一致性要求较高。模块通过多个IGBT芯片并联，电流规格和电压一般会比IGBT单管高1-2个等级，多个IGBT芯片通过特定电路形式组合，可以减少外部电路连接的复杂性，同时在同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。
IGBT在发展过程中经历了多次技术突破。其发展历程可总结为：
第一代：IGBT为简单在MOSFET背面的漏电极增加了一个P+层，由于导通电阻和关断功耗都比较高，所以没有普及使用。
第二代：PT-IGBT，即在P+与N-drift之间加入N+buffer层，其在V以上有优势，但不适用于V。
第三代：NPT-IGBT，不再采用外延生长技术而是采用立子注入技术来生成P+集电极，技术比较成熟而且在稳态损耗损耗关断损耗间取得了很好的折中，被广泛采用。
第四代：Trench-IGBT，采用Trench结构同时继续沿用第三代的P+集电极技术，使得其导通电阻变小且具有高耐压能力。
第五代FS-IGBT、第六代FS-Trench是经历了上述四次技术改进实践后对各种技术措施的重新组合，其中第五代是第四代产品“透明集电区技术”与“电场中止技术”的组合，第六代产品是在第五代基础上改进了沟槽栅结构。
目前IGBT产品迭代至第七代，芯片面积相较于第一代产品有了大幅的缩小，工艺线宽也由5微米减低至0.3微米。
IGBT为新能源车的关键配件。
IGBT被行业称为新能源汽车的CPU，是新能源汽车的核心，直接控制了驱动系统直流、交流电的转换，决定了系能源汽车最大输出功率和扭矩等核心数据。
在新能源汽车中，IGBT模块单车价值量高。
根据OFweek数据，在整个新能源汽车自造过程中，电机驱动系统占全车制造成本15~20%，而其中IGBT占电机成本的约50%，则可以算出IGBT占整车成本7~10%。
根据新浪汽车数据，在特斯拉的双电机全驱动版车型ModelX中，使用了个IGBT管：其中前电机有36个，后电机有96个，价值大约在美金。
IGBT在光伏等新能源领域也有快速发展，在智能电网领域也被广泛应用。
近年来以风能、太阳能等为代表的新能源产业发展迅速。风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用，IGBT模块是逆变器的核心电子元器件，因此，未来新能源领域的快速发展将会推动IGBT行业的快速发展。
同时IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：
从发电端来看，风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。
从输电端来看，特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。
从变电端来看，IGBT是电力电子变压器(PET)的关键器件。
从用电端来看，家用白电、微波炉、LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。
多领域助力功率电子市场发展。
纵观功率半导体的发展，我们发现在不同的时间阶段，具有不同的高增速应用场景来支撑行业发展，根据Yole统计，~期间，工业制造领域发展迅速，同时也是功率电子的重要应用场景；年之后，随着手机、笔记本电脑的普及以及升级，消费电子领域引领功率电子继续发展；年之后，光伏产业随着装机量的提升从而对于功率电子带动显著；年至今，随着新能源汽车的不断渗透，给功率电子市场持续注入动力。
同时根据Yole预测，未来随着工业自动化、5G通信技术普及以及新型通信技术的发展、光伏装机量的持续提升以及新能源汽车的持续渗透，到年整个功率电子市场都或将保持增长态势。
全球功率电子市场稳步提升。
根据Yole统计，年由于外部环境因素对终端需求短期的影响，功率电子市场出现停滞，后续随着相关因素的逐步缓解，年全球功率半导体市场规模达到.79亿美元，同比上升9.5%。
同时Yole预测，到年全球规模预计将达到.74亿美金，~年复合增速6.9%，但是如果将其中增速缓慢的老一代产品去除后，只考虑IGBT模块、SiC/GaN等高增速器件，则整体复合增速将显著提升。
功率模块产品增速较快。
在功率器件中，模块器件的增速将远高于行业增速，主要原因系模块产品相较于单管的分器件而言，能够实现更可靠、高集成和高效率，在大电流和电压的场景中优势尤为显著，而未来增速较快的应用领域，例如新能源汽车、光伏、储能等领域均需要满足大电流/电压下的可靠性和高效性。
根据Yole数据，年全球功率模块市场规模为60.21亿美金，相较于年同比提升15.25%。预计到年全球功率模块市场规模将达到97.49亿美金，~年复合增速11.0%。
根据Yole数据，年全球IGBT市场规模约为54亿美金，其中主要应用场景及占比：工业控制（31%）、家电（24%）、EV/HEV新能源汽车（9%）、轨道交通（6%）、光伏（4%）、直流充电设备（1%）。
根据Yole预测，到年全球IGBT规模将达到约84亿美金，其中EV/HEV新能源汽车领域规模将达到17亿美金，占比提升至20%，~年新能源汽车领域规模CAGR达到22.26%。
全球功率电子市场长期被海外公司占据。
根据Omdia数据，年全球功率半导体前十大收入厂商大部分为海外企业，其中英飞凌收入48.69亿美元位居世界第一，安森美与意法半导体位居TOP2-3，收入分别为20.51亿美元、17.14亿美元。
2.2SiC：行业高景气度持续
碳化硅电力电子市场规模有望在年达到63亿美金，汽车占比79%。
根据Yole最新报告，年碳化硅电力电子市场规模10.9亿美金，随着下游汽车、工业等领域的需求快速增长，尤其是V平台架构下快充对于碳化硅功率器件的需求，推动碳化硅电力电子市场规模有望在年增长至63.0亿美金，-年复合增速达到34%。
单车SiC价值量提升显著，逆变器占90%。
根据全球碳化硅龙头Wolfspeed最新投资者日法说会，从燃油车到纯电动汽车，其动力总成系统的单车半导体价值含量接近翻倍。
未来随着纯电动车渗透率的稳步提升，以及充电桩设施的持续完善布局，公司预计年全球车用碳化硅渗透率将超过50%。车用碳化硅市场规模也有望从年的10.6亿美金增长至年的49.9亿美金，而这其中约90%的价值量来源于逆变器，10%来源于OBC。
衬底是SiCMOSFET成本占比最高的环节，衬底自供将显著降低芯片成本。
根据SystemPlusConsulting，以6英寸SiCMOSFET晶圆前道制造为例，其成本中44%来源于衬底，是占比最高的环节。
对比海外主流厂商同等电压级别，同Rfson的SiCMOSFET器件成本结构，同样可以看到衬底是占比最高的环节，此外值得注意的是，Wolfspeed的SiCMOSFET器件的每安培成本低于其他几家厂商。
根据PGCConsultancy，碳化硅行业中具备垂直整合能力的公司，其衬底自供将显著降低成本。
根据Yole，目前全球范围内，意法半导体、Wolfspeed、安森美和英飞凌科技等龙头公司在近年分别宣布了其SiC的战略规划及目前成果：例如意法半导体的SiC模块在特斯拉Model3中已经使用多年；英飞凌在年SiC器件业务实现%的同比增长；Wolfspeed在法说会中表示，未来活动中心将放在SiC业务中。
从这些事例中不难看出，SiC或将成为未来继IGBT后功率电子公司的又一重点发展领域。根据Yole统计，目前中国有超过50家企业已经宣布以不同的方式以及战略进入SiC领域。
三、技术实力+行业趋势铸就机遇
3.1技术积累深厚，研发加码蓄力未来
研发是公司保持技术竞争力的核心。公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产，具有多种专项技术的科技人员组建的国家重点高新技术企业。
是国家高技术产业化示范工程基地，国家IGBT和FRED标准起草单位；江苏省博士后创新基地，江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。
公司自成立以来一直高度重视研发投入，收获了大量的成果并实现转化。
截止H1，公司已有37项发明专利，93项实用新型专利。科学研究和技术合作在在推动行业科技进步的同时，也助力企业实现不断发展。
核心技术对标行业龙头：公司建立了健全的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、模块封装测试等工艺技术积累，在核心技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计领域和模块封装领域的核心能力，并形成了公司的主要核心技术。
目前公司核心技术已与行业龙头基本一致。
创新机制提供源源活力：公司高度重视技术创新，坚持以研发促进公司发展，从研发管理机制、人才队伍建设、技术交流与合作研发机制、知识产权保护等方面促进技术持续创新，保持核心技术竞争优势。
?人才队伍建设：坚持人才培养与优秀人才引进并举的策略，建立起了灵活有效的研发人才聘用机制，自主人才培养方面，公司重视将员工的个人成长和企业发展紧密结合，通过择优的选拔机制来提拔优秀人才；在人才引进方面，公司积极通过各大院校、社会招聘等方式引进国内外优秀的人才。
?技术交流机制：对内，公司不定期举办各种技术交流和分享会；对外，公司积极安排相关研发人员不定期参加国内外高水平的行业展会和学术交流会，并不定期邀请国内外行业内高级别专家对公司研发人员进行培训与指导。
?知识产权保护：公司对自身核心技术通过申请专利的方式进行保护，同时通过使用保密软件，并在研发工作中与员工签订保密协议和竞业禁止协议，设定研发文件保密等级限制接触人员等方式对公司核心技术进行保护。
?研发管理机制：为保障研发项目的顺利进行，公司建立了一系列的研发项目管理制度，同时通过ERP系统等先进企业管理系统对项目进行辅助管理。
3.2产品性能优、品类全，新品接棒有望达到国际先进水平
产品类别全、迭代快，性能覆盖业内平均水准。
公司产品类别全面、性能先进：目前，公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品余种。经过公司多年持续的投入研发，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
产品迭代快速：目前在功率器件行业，国内厂家技术实力和市场份额与国际巨头均存在一定程度的差距，公司紧跟行业趋势不断加码研发投入，进行产品升级迭代，确保公司产品能始终保持较强的市场竞争力。
IGBT产品-专注研发投入，性能比肩国际外龙头
性能指标：公司一直专注于功率半导体芯片、单管和模块研发及应用，在IGBT芯片及模块方面进行了大量的深入的研究和开发，积累了丰富的设计和制造经验。IGBT系列产品的性能主要由芯片性能决定，衡量IGBT芯片的核心性能指标主要为电流密度、芯片损耗、击穿耐压、短路极限，具体如下：
公司目前已掌握功率半导体器件行业的核心工艺技术，如IGBT沟槽结构+场阻断技术以及最新的微沟槽技术、FRED的超软恢复以及寿命控制技术、模块封装的纳米银烧结工艺和低分布参数的布线技术等，产品性能比肩国际巨头。
与国际龙头厂商对比：
?第三代产品对比：公司于年开始推出并实现量产的宏微第三代IGBTM3iV系列电流覆盖10A到A，选取其中典型的50A与英飞凌科技于年开始推出的市场主流T4同规格产品关键参数做横向对比，主要技术指标如下：
?第四代产品对比：公司于年研发成功的宏微第四代IGBTM4iVA芯片与英飞凌科技于年开始推出的车用HybridPackDrive模块中所用EDT2芯片，经电参数的横向对比，公司的芯片产品在击穿耐压、短路极限时间方面与英飞凌芯片基本相同，在芯片开通损耗、关断损耗、电流密度方面与英飞凌芯片相接近。
主要技术指标对比如下：
?第五代产品对比：公司于年初研发成功的宏微第五代IGBT产品与英飞凌相近型号产品做横向对比，可知公司的产品在击穿耐压与英飞凌产品基本相同，在芯片损耗、电流密度等方面与英飞凌产品相接近。目前改产品已实现量产。
二者主要技术指标对比如下：
综上所述，公司的IGBT产品性能已基本实现对标英飞凌各代主流IGBT产品。
优异的产品性能是实现国产替代的核心，截止H1公司第七代IGBT产品第七代微沟槽IGBTM7i已完成芯片技术平台的开发和验证，未来有望实现高端功率产品的进口替代，进一步优化公司产品价格结构。
与国内龙头企业产品对比：公司于年推出的宏微第三代IGBTM3iV50A与斯达半导的50A产品在击穿耐压、阈值电压、短路极限等重要指标方面基本相同，基于系统电磁兼容性考量，与行业内公司英飞凌产品设计相似，公司产品有增加栅极集成电阻，使得高温开通损耗略高，公司产品与斯达半导产品性能不存在重大差异。
公司的第三代IGBT-M3iV50A芯片与斯达半导产品主要性能指标对比如下：
3.3“高景气市场+优质客户”持续增添成长动力
市场优势：公司功率产品目前覆盖工业控制、光伏、新能源汽车等高景气度下游领域。
预计未来工业控制、光伏、新能源汽车等领域行业景气度继续维持，公司有望乘行业东风步入高速发展阶段。除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。
据公告，公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关SiC模块已经批量应用于新能源行业。
?工业控制：根据《年中国工业自动化市场白皮书》数据，年中国自动化整体市场规模将达到亿元，同比增长11.3%左右。我们认为随着工厂智能化、机器换人、高端制造等行业需求的愈发突出，工业控制领域未来或将维持较好发展。
?光伏：全球碳中和推动光伏高景气，平价上网奠定中国光伏良性发展基调。年起，美国、欧盟、中国等主要经济体陆续出台减碳政策，全球光伏行业受益高景气度运行。
据BNEF数据，年全球年度新增光伏装机量GW，-年度新增装机量CAGR+19.22%，预计年光伏新增装机量GW，-CAGR+6.91%，增长空间广阔。
中国光伏行业经历多轮电价调整，-年抢装热后行业降温，年开启平价上网时代，对行业长期良性发展意义重大。
根据国家能源局数据，年全国年度新增光伏装机量54.88GW，同比+13.96%。
?新能源汽车市场表现强劲。
目前新能源汽车增速加速明显，根据中汽协数据，我国在~年新能源汽车销量年复合增速高达47.34%。其中根据工信部数据，年全国新能源汽车销量为.1万辆，同比增长1.6倍，连续7年全球第一。
单月数据来看：我国新能源汽车9月销量再创新高。新能源汽车为功率半导体主要的增量应用场景，随着汽车电动化的进程加深，我国新能源汽车销量在年9月再创新高，根据中国汽车工业协会数据，我国9月新能源汽车首次月度销量突破70万，达到70.75万辆的单月销量。
具体分品牌看，根据乘联会数据，9月比亚迪销量依旧领先，月销量20.1万，环比增长15.50%；理想汽车9月销量1.2万辆，环比增速.26%为9月环比销量增速最快的车企；其他品牌中，长安汽车由于新车Lumin的批量交付，销量月度环比增长71%。
客户优势：销售网络积累深厚，拥有优质客户资源。
经过多年的积累，公司已拥有较为丰富的优质客户资源，与行业龙头或知名企业客户建立了较为稳定的配套合作关系。公告显示公司目前前五大客户除去一个代理商之外其他均为行业龙头企业。预计未来随着进口替代的不断深入，强劲的产品性能和全面的产品类别将助力公司收获更多下游优质客户。
?在工业控制领域：变频器行业知名企业：台达集团、汇川技术、英威腾、合康新能等；电焊机行业知名企业：松下、佳士科技、奥太集团、上海沪工等均保持稳定合作关系。
?在光伏领域：公司主要客户有阳光电源、固德威、格瑞瓦特等多家知名企业，市场份额不断扩大。公司现已成为A客户光伏逆变器的的供应商之一。同时年2月，公司与A客户签订了《关于光伏IGBT产品的合作协议》，合同期限至年12月31日，经过长时间的验证，公司相关产品指标达到A客户要求。
?在电动汽车领域：公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、长城汽车、汇川、臻驱科技等多家知名企业。充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等知名企业。
在年公司相关汽车产品完成了在电动汽车主驱IGBT模块产品批量化供应，出货给整车客户和Tier1客户，我们认为后续随着相关产能的爬坡，相关产品销售占比有望快速提升。同时公司目前积极布局SiC相关产品，未来可期。
公司于年9月26日召开董事会，审议通过了《关于投资建设车规级功率半导体分立器件生产研发项目的议案》，同意投资6.00亿元进行车规级功率半导体分立器件生产研发项目建设。预计建设周期3年。项目建成后，公司将形成年产车规级功率半导体器件万块的生产能力。
年9月，宏微科技发布公告，计划向不特定对象发行可转换公司债券拟募集资金总额不超过4.50亿元。募集资金投资项目为“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”，项目选址位于江苏省常州市新北区新竹路5号，项目计划总投资5.07亿元，本项目建成后，将形成年产车规级功率半导体器件万块的生产能力，助力公司深化主营业务发展，显著提升收入规模和盈利水平，强化公司市场地位，从而保持市场竞争优势。
四、盈利预测
我们对宏微科技的业绩进行拆分，我们认为公司未来的主要增长点依旧为单管以及功率模块产品，其规模化将在年进一步体现，同时配合新产能的扩充收入增速依旧维持较高水平，我们预计公司：
?模块业务
E/E/E实现营收增速50.50%/98.50%/74.00%，毛利率稳中有升，实现19.20%/22.00%/26.00%。
?单管业务
E/E/E实现营收增速.30%/98.50%/70.00%，毛利率24.20%/25.50%/26.00%。
?芯片业务
E/E/E实现营收增速25.0%/28.0%/28.0%，毛利率28.00%/28.17%/28.17%。
费用率方面，由于规模化提升，我们预计营业费用会有一定的增加，同时研发强度依旧维持在较高水平，管理费用随着规模的提升有一定优化下降，总体费用趋势区趋于平缓。
E~E年我们预计公司营业费用率分别为3.20%/2.80%/2.60%，管理费用率分别为3.60%/3.10%/3.00%，研发费用率分别为7.15%/6.70%/6.70%。
综上，我们预计E~E年公司的营收分别为9.30/18.00/30.67亿，yoy68.91%/93.57%/70.33%；综合毛利率分别为21.90%/23.84%/26.30%；归母净利润分别为0.83/1.88/3.60亿，yoy20.33%/.31%/91.32%。
?公司亮点1：下游需求增速较快。
在新能源领域中：风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用，IGBT模块是逆变器的核心电子元器件，因此，未来新能源领域的快速发展将会推动IGBT行业的快速发展。
在汽车领域：IGBT被行业称为新能源汽车的CPU，是新能源汽车的核心，直接控制了驱动系统直流、交流电的转换，决定了系能源汽车最大输出功率和扭矩等核心数据。
?公司亮点2：技术实力领先。
目前，公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品余种.经过公司多年持续的投入研发，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。其第五代IGBT产品能够与全球龙头英飞凌同等级产品进行直接技术对标，同时公司第七代IGBT产品截止H1已完成芯片技术平台的开发和验证。
?公司亮点3：客户群体优秀。
在工业、新能源、汽车领域，公司深度绑定国内优质客户，其中年2月，公司与A客户签订了《关于光伏IGBT产品的合作协议》，合同期限至年12月31日，经过长时间的验证，公司相关产品指标达到A客户要求。我们认为伴随绑定的深入以及合作的加深，未来在SiC等新产品中双方也存在合作的机会。
?公司亮点4：积极储备SiC。
根据公司公告，截止年底，公司已经完成乘用电动车电控用SiC模块及封装技术的预研和样品制作，定制化车乘用电动车电控用SiC模块开发进度加快，完成样品的交付。
完成3款定制化用于新能源领域的SiCMOS模块产品的开发，通过客户验证，产品逐步上量交付。
我们选择同为功率半导体行业的斯达半导、东微半导作为估值参考，其中斯达半导作为国内功率半导体领军企业，其收入体量远超宏微科技，由于功率半导体下游新兴领域应用不断加速，同时国产化替代进程仍在持续，市场普遍给予较高估值水平。
同时在功率半导体公司中，我们发现IGBT产品占比较高的公司，估值普遍较高：根据Wind数据，斯达半导~年IGBT产品收入占比均超90%，根据宏微科技招股书数据，~年其IGBT系列产品收入占比由43.49%提升至56.47%。
后续我们认为宏微科技在IGBT模块的收入占比将会不断提升。同时通过对比两家公司的估值我们发现，IGBT模块占比较高的公司，由于其下游应用领域普遍对应新能源汽车、光伏、储能等新兴行业，通常享有较高的估值。
IGBT的产品性能以及所应用的下游领域也作为功率半导体公司估值的重要标准：因为功率半导体对应的下游市场广泛，而其中增速较快的领域目前集中在光伏、新能源汽车等领域中。
?性能方面：公司3~5代产品与全球龙头英飞凌或国内IGBT核心公司相比，均有部分参数具有一定优势。
?在光伏领域客户：公司主要客户有A客户、阳光电源、固德威、格瑞瓦特、禾望、盛弘股份、科士达、科华等。
?在电动汽车领域客户：比亚迪、长城汽车、汇川、臻驱科技等多家知名企业。
?充电桩领域客户：英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等知名企业。
同时，纵观整个功率半导体行业，在结束~年的行业季度缺货后，对比功率半导体核心公司前三季度业绩我们发现，对应的应用领域和产品核心技术指标竞争力是产能充足期企业的核心竞争力。
宏微科技作为IGBT为主要收入来源的企业，IGBT的性能强劲的同时下游对应工业控制、光伏、新能源汽车三大领域，且客户阵容十分豪华，下游需求持续旺盛同时公司技术实力强劲，造就公司业绩端持续呈现加速态势。
结合公司自身产品结构、产品性能、对应的应用领域、优质客户群体以及晶圆产能充足期较高的业绩增速，我们认为宏微科技应当享有高于行业平均水平的估值。
同时，对于宏微科技，我们采用PS估值法进行估值，理由如下：
根据对比我们发现，宏微科技研发费用率在行业中处于领先水平，并且普遍高于同等市值下的功率电子企业；
从年前三季度收入情况来看，宏微科技无论在Q1~Q3还是在Q3收入增速均为行业内最高，未来公司依托新领域、核心客户，我们预计未来3年公司收入增速将不低于60%的同比增速增长，由于宏微科技目前收入体量在行业中依旧较小，在下游应用结构和产品结构调整的关键阶段，倘若继续保持高强度研发投入，则将对于利润有一定的影响，所以我们认为收入规模的变化能够更好地反应公司的成长，故采用PS估值。
综上，我们预计宏微科技E/E/E年分别实现营收9.30/18.00/30.67亿；归母净利润0.83/1.88/3.60亿；对应当前股价PS估值为14.1/7.3/4.3x，行业平均估值为16.7/11.5/8.3x，相较于行业平均水平具有PS估值优势。
通过上文比较，公司前三季度收入增速行业最高，驶入高速发展阶段，同时从客户结构、产品结构、下游领用领域、产能布局等方面均具有自身优势且对应空间广阔，我们认为未来会享有一定的估值溢价。
五、风险提示
下游需求不及预期：公司增长的逻辑很大程度上来自于新能源等新兴领域的需求增长，如果未来下游需求不及预期，则将对公司未来业绩造成影响。
市场竞争加剧风险：功率半导体行业竞争较为激烈，海外龙头技术实力雄厚，如果未来竞争加剧，则可能存在一定的业绩风险。
产能扩充不及预期：随着下游需求的增加，目前的产能无法满足相应需求，倘若未来相关产能无法及时扩充，将对业绩造成一定的限制或影响。
——————————————————
报告属于原作者，仅供学习！如有侵权，请私信删除，谢谢！
报告来自
