随着半导体材料步入第三代半导体时代，行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上，从特性上来讲，SiC和GaN的优势是互补的，应用覆盖了电动汽车（EV）、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。
不过从细微差别来说，GaN（氮化镓）晶体管适合于高效率、高频率、高功率密度要求的应用场合；碳化硅（SiC）由于热导率是GaN的三倍以上，因此在高温应用领域具有优势，因此多用于V以上高温大电力领域。GaN作为后进者，由于器件水平发展历史原因，主要还是在消费和射频领域；而SiC则是极限功率器件的理想材料。
SiC这种宽紧带材料相比硅来说，拥有10倍的介电击穿场强、2倍电子饱和速度、3倍能带隙、3倍热导率。这意味着，SiC器件可以获得明显的小型化、高能效、驱动强的系统性能。数据显示，SiC的总市场容量（TAM）按终端市场显示，到年将超过10亿美元，复合年增长率高达35%。
SiC应用十几年了，现在这个第三代半导体材料发展现状如何了？21ic中国电子网记者连线了安森美半导体电源方案部产品市场经理王利民，讲述安森美半导体在SiC上的故事。
聚焦三大领域
纵观半导体全球市场，安森美半导体位列前20大集成器件制造商，尤其是在功率半导体这一细分领域，通过一系列收购目前已成为全球第二大半导体分立和模块供应商。王利民表示，安森美的愿景是未来5年收入超过亿美元，成为全球前十大的整合元器件厂商(IDM)。通过数据和排名，足以见得安森美半导体的实力。
王利民为记者介绍表示，在SiC方面，安森美半导体目前主要聚焦于电动汽车、可再生能源、5G和通信电源上。
1、电动汽车（EV）：安森美认为电动汽车是未来几年SiC的主要驱动力，约占总市场容量的60%。通过SiC这项技术，每年可增加多达美元的电池续航力。
而安森美所布局的包括电动汽车本身的主驱逆变器（TractionInverter）、车载充电器（OBC）、DC/DC和电动汽车充电桩两大方面。前者，应用SiC器件的电动汽车可大幅提高效率，增强电动汽车续航能力；后者，消费者